Laboratorium technologiczne MBE z kontrolą jakości wytwarzanych struktur: SIMS

 

Laboratorium technologiczne MBE i kontroli jakości nanostruktur

Pracownicy:

Dr Miachał Marchewka

dr inż Iwona Rogalska

mgr inż Małgorzata Trzyna

mgr inż. Jakub Grendysa

mgr inż Karolina Jedziniak

 

 

 

             Podwójny reaktor Double RIBER COMPACT 21                            Spektrometr masowy TOF-SIMS

 

Laboratorium zawiera instalację Double RIBER COMPACT 21 wraz z kontrolom jakości otrzymanych struktur: Spektroskopią Masową Wtórnych Jonów – TOF-SIMS, która pozwalała na kontrolę składu z dokładnością do 1018 cm-3.

W Laboratorium została opanowana technologia wzrostu warstw MCT zawierających punkt Diraka, w tym nanostruktur na ich bazie.  Jest to jeden z najgorętszych problemów współczesnej fizyki półprzewodników – topologiczne izolatory – nowy kwantowy stan substancji.

Projekt:

Wpływ punktu Diraca na stany elektronowe i fonowe w nanostrukturach na bazie związków półprzewodnikowych HgCdTe, HgZnTe, nr WND-RPPK.01.03.00-18-053/12. Źródło finansowania: Regionalny Program Operacyjny Województwa Podkarpackiego na lata 2007 – 2013, 2 971 206 zł.

 

Polski